Nasza szeroka oferta zawieja:

Struktury epitaksjalne

Wykonane z następujących półprzewodników: GaN, AlInGaN, AlN, InAlGaAs, SiC, grafen.


Nałożone na różne podłóża

Takie jak: bulk GaN, szafir, SiC, Si, InP, GaAs.


Bardziej złożone struktury półprzewodnikowe

Takie jak: diody LED, lasery, lasery krawędziowe, tranzystory HEMT, diody Schottky’ego, tranzystory JFET i MISFET, lasery VCSEL, waraktory, fotodetektory, pasywne falowody i inne.

 

Zamów spersonalizowany produkt

Seen Semiconductors

  • W celu uzyskania ostatecznego produktu współpracujemy blisko z wybranymi instytutami naukowymi i laboratoriami epitaksji zlokalizowanymi w Europie Centralnej i Zachodniej.
  • Nasz know-how wynikający z 20 lat doświadczenia wzrostów epitaksjalnych naszych specjalistów, pozwala na produkcję struktur o najwyższych parametrach światowych.
  • Posiadamy dostęp do najwyższej jakości na świecie podłoży GaN z gęstością dyslokacji na poziomie 104/cm2 zarówno n-typu jak i  typu półprzewodzącego (oporność 109-1012 ohm*cm).
  • Oferujemy atrakcyjne ceny. 

 

Wybierz produkt dla siebie

 

Aktualności

  • Wprowadziliśmy struktury epitaksjalne GaN na 3 i 4 calowych podlozach szafirowych

    Seen Semiconductors wprowadził struktury epitaksjalne GaN na 3 i 4 calowych podłożach szafirowych.

    czerwiec 2013
  • Zobacz nasze osiągnięcia w strukturach tranzystorowych RF HEMT na podłożach SiC

    Sprawdź nasze osiągnięcia w strukturach tranzystorowych RF HEMT na podłożach SiC.

    luty 2012
  • Wprowadziliśmy do oferty a-plane GaN na podłożach szafirowych r-plane

    Seen Semiconductors wprowadził do oferty a-plane GaN na podłożach szafirowych r-plane

    listopad 2011

Czytaj więcej w produktach