„Szybko przełączające wertykalne tranzystory na bazie azotku galu, przeznaczone do sterowania i zasilania diod laserowych (akronim: PioneerGaN)”
Projekt współfinansowany przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju w ramach 1. Konkursu polsko-berlińskiego w obszarze fotoniki.
Wartość projektu ze strony Polski: 3 302 052,60 zł
Wartość dofinansowania NCBiR: 1 562 754,97 zł
Okres realizacji projektu: 01/01/2016 - 31/12/2018
Konsorcjum realizujące projekt:
Ferdinand Braun Institut, Berlin, Germany – Lider Projektu ze strony niemieckiej
Sentech Instruments GmbH, Berlin, Germany
Polski Ośrodek Rozwoju Technologii – Lider Konsorcjum ze strony Polski
Seen Semiconductors sp. z o. o.
W ramach projektu PioneerGaN wytworzone zostały tranzystory wertykalne, wykonane na podłożu monokrystalicznego amonotermalnego azotku galu. Konstrukcja wertykalna szybko przełączającego się tranzystora pozwala na zintegrowanie go z diodą laserową. Całość umożliwia pracę lasera w trybie impulsowym, co daje przewagę w postaci wysokiego natężenia światła przy zachowaniu odpowiedniej jakości wiązki i równoczesnym zmniejszeniu efektu cieplnego, co wpływa na żywotność i jakość pracy lasera. Przy zastosowaniu technologii stepper lithography udało się osiągnąć 400mm/mm2 długości bramki w stosunku do powierzchni urządzenia, co przekłada się na 100A – 250A dla tranzystora, napięcie przebicia 70V.
Powyższe cechy umożliwiają wykorzystanie urządzenia w wielu nowych systemach optoelektronicznych, np. LIDAR (and. Light Detection And Ranging), aplikacji w spektroskopii w różnych dziedzinach, w tym medycynie oraz innych – na rynku piko projektorów, telewizji laserowej, wielkoformatowych wyświetlaczy laserowych, do których niezbędna jest wysoka moc optyczna.
Więcej informacji o projekcie można uzyskać pod nr tel.: 22 625 12 25, bądź pod adresem mailowym beneficjenta: Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.
Ważne linki:
Strona poświęcona dokumentacji Programu: www.ncbr.gov.pl/programy/programy-miedzynarodowe/wspolpraca-dwustronna/
Instytucja Pośrednicząca – Narodowe Centrum Badań i Rozwoju (NCBiR): www.ncbr.gov.pl
Lider Projektu – Polski Ośrodek Rozwoju Technologii: www.port.org.pl
„Technologia wytwarzania heterostruktur fotonicznych dla potrzeb detekcji w podczerwieni (akronim: TeHFoton)”
Projekt współfinansowany przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju w ramach III Konkursu TECHMATSTRATEG.
Wartość projektu: 6 664 406.30 zł
Wartość dofinansowania NCBiR: 6 409 899,19 zł
Okres realizacji projektu: 01/07/2021 - 30/06/2024
Konsorcjum realizujące projekt:
Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki, Warszawa – Lider Projektu
Uniwersytet Rzeszowski, Rzeszów
Seen Semiconductors sp. z o. o.
Celem projektu jest opracowanie skalowalnej technologii wytwarzania supersieci I i II rodzaju GaSb/AlSb, InAs/AlSb i InAs/GaSb o długofalowej krawędzi absorpcji z zakresu krótko- (SWIR, 1,5 – 3 μm), średnio- (MWIR, 3 – 5 μm), długofalowej (LWIR, 8 – 14 μm) i dalekiej podczerwieni (VLWIR, >14 μm). Produktem projektu będą skalowalne heterostruktury fotoniczne mające zastosowanie w konstrukcji przyrządów do detekcji i emisji światła z zakresu IR, wykonane zgodnie z wymogami użytkownika końcowego.
W celu osiągnięcia założeń projektu został on podzielony na dwie fazy, badawczą i przygotowania do wdrożenia. Faza badawcza składa się z dziewięciu zadań, z których osiem dotyczy badań przemysłowych skoncentrowanych na rozwoju technologii epitaksji i charakteryzacji heterostruktur do poziomu TRL VI. W ramach zadania nr 9 prowadzone będą prace rozwojowe ukierunkowane na zapewnienie powtarzalności technologii wzrostu, co pozwoli na podniesienie poziomu gotowości technologicznej do TRL VII i umożliwi wdrożenie uzyskanych wyników. Supersieci oraz złożone heterostruktury przyrządowe, które będą mogły być wytworzone z wykorzystaniem opracowanej w ramach projektu technologii będą skierowane do małych i średnich podmiotów o wyspecjalizowanym charakterze produkcyjnym. Tego rodzaju niszowe produkty odznaczają się wysokimi kosztami wynikającymi w dużej mierze z dostępności wysokich technologii (Hi-Tech) oraz kapitału ludzkiego o interdyscyplinarnej wiedzy i szerokim doświadczeniu.
Więcej informacji o projekcie można uzyskać pod nr tel.: 22 625 12 25, bądź pod adresem mailowym beneficjenta: Ten adres pocztowy jest chroniony przed spamowaniem. Aby go zobaczyć, konieczne jest włączenie w przeglądarce obsługi JavaScript.
Ważne linki:
Strona poświęcona dokumentacji Programu: https://www.gov.pl/web/ncbr/techmatstrateg
Instytucja Pośrednicząca – Narodowe Centrum Badań i Rozwoju (NCBiR): https://www.gov.pl/web/ncbr
Lider Projektu – Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki, Warszawa: https://lukasiewicz.gov.pl/en/instytuty/siec-badawcza-lukasiewicz-instytut-technologii-elektronowej-2/
Przetargi trwające / Current Procurements
Przetargi rozstrzygnięte / Past Procurements
Nr. sprawy: 2/SS/TECHMATSTRATEG/2021
Ogłoszenie o ogłoszeniu przetargu na wybór wykonawcy na dostawę podłoży półprzewodnikowych GaAs oraz GaSb / Announcement about launching a tender procedure for the procurement of GaAs and GaSb semiconductor structures.
ZAPYTANIE OFERTOWE nr 2/SS/TECHMATSTRATEG/2021 /
REQUEST FOR QUOTATION No 2/SS/TECHMATSTRATEG/2021
Załącznik 1 do zapytania ofertowego nr 2/SS/TECHMATSTRATEG/2021
Attachment 1 to the request for quotation no. 2/SS/TECHMATSTRATEG/2021
Załącznik 2 do zapytania ofertowego nr 2/SS/TECHMATSTRATEG/2021
Attachment 2 to the request for quotation no. 2/SS/TECHMATSTRATEG/2021
Warszawa, 15 września 2021
W wyniku przeprowadzonego postępowania oraz rozstrzygnięcia Zamawiający po weryfikacji spełnienia warunków udziału w postępowaniu oraz uwzględnieniu kryteriów oceny ofert uznał za najkorzystniejszą:
- w zakresie: dostawy podłoży półprzewodnikowych GaAs, n-typ, 2-cale, w cenie USD 109/PLN 419.60 oraz podłoży półprzewodnikowych GaAs, SI-typ, 2-cale, w cenie USD 145/PLN 558.18 ofertę złożoną przez AXT-TONGMAI, Inc. Fremont, CA 94538, USA. Oferta ta uzyskała najwyższą liczę punktów (100 Pkt) w ramach kryteriów oceny ofert i stanowi ofertę najkorzystniejszą.
- w zakresie: dostawy podłoży półprzewodnikowych GaSb, p-typ, 2-cale, w cenie EUR 384/PLN 1742.82 oraz podłoży półprzewodnikowych GaSb, n-typ, 2-cale, w cenie EUR 384/PLN 1742.82, ofertę złożoną przez Wafer Technology, Ltd. Milton Keynes, MK 15 8HJ, GB. Oferta ta uzyskała najwyższą liczę punktów (100 Pkt) w ramach kryteriów oceny ofert i stanowi ofertę najkorzystniejszą.