Seen Semiconductors świadczy usługi wykonywania na zamówienie epitaksjalnych struktur półprzewodnikowych. Nasze struktury używane są na całym świecie przez laboratoria badawcze oraz przez producentów nowoczesnych urządzeń elektronicznych i optoelektronicznych.


Dzięki 20-letniemu doświadczeniu specjalistów epitaksji, z którymi współpracujemy, oferowane struktury są wysokiej jakości, a zatem mogą być użyte przez naszych klientów jako półprodukty w procesie uzyskania produktu końcowego lub ostatecznego celu naukowego. W konsekwencji, nasze struktury mogą znaczenie skrócić czas, wysiłek oraz koszty naszych klientów. Ponadto, nasza szczególnie szeroka oferta pozwala naszym klientom przeprowadzać skomplikowane badania porównawcze.


Nasza oferta zawiera wysokiej jakości heteroepitaksjalne struktury półprzewodnikowe deponowane na podłożach szafirowych, SiC, krzemowych, InP, GaAs jak również homoepitaksjalne warstwy AlInGaN na podlóżach bulkowych GaN. Jesteśmy dumni z tego, ze w przypadku tych ostatnich posiadamy struktury nasze charakteryzują się rekordowo niskim poziomem dyslokacji (EPD).


Posiadamy dostęp do najlepszej jakości na świecie podłoży GaN, którego poziom gęstości dyslokacji nie przekracza 104/cm2, zarówno n-typu jak i półprzewodzącego (oporność 109 – 1012 Ωcm). Our substantial experience in working with the above GaN alows us to offer:

  • wysokiej jakości homoepitaksjalne templaty GaN na podłożu bulk GaN – nasze doświadczenie pokazuje, ze wielu naszych odbiorców bardzo docenia mozliwosc wzrostu epitaksjalngo swoich struktur na homoepitaksjalnych templatach GaN na GaN – ponieważ takie struktury pozwalają na prawdziwą inspekcje azotkowych podlozy, jak rowniez przewidywan co dalszego epitaksjalnego wzrostu oraz jego łatwiejszej kontroli,
  • pełne struktury epitaksjalne takich urządzen jak diody LED, lasery, tranzystory o dużej mobilności i innych parametrach spełniających najwyższe standardy światowe,
  • wszystkie kombinacje struktur InAlGaN oraz urządzeń na podłożach GaN.

 

Lista naszych rzadkich produktów zawiera:

  • GaN on krzemie
  • graphene epitaksjalny na podlożach SiC
  • struktury HEMTs na podłożach bulkowych GaN

 

Wsród naszych klientów są najbardziej zaawansowane technologicznie światowe korporacje a także renomowane uniwersytety.